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p-GaN栅结构是一种极具潜力的实现增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法。目前，国内外各研究小组及公司普遍采用刻蚀工艺来制备这种器件。
H等离子体表面处理技术实现增强型p-GaN/AlGaN/GaN HEMT
【摘 要】
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p-GaN栅结构是一种极具潜力的实现增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法。目前，国内外各研究小组及公司普遍采用刻蚀工艺来制备这种器件。
【机 构】
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南京理工大学 材料科学与工程学院;中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 中科院苏州纳米技术与纳米仿生
【出 处】
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第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2016年5期
其他文献
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