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碲锌镉(CdZnTe)晶体是宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物，具有优异的光电特性，是制备室温X射线及γ 射线探测器的一种理想半导体材料.CdZnTe欧姆接触特性对探测器性能有重要的影响，一直是人们研究的热点和难点.
CdZnTe晶体表面Au电极薄膜的制备及欧姆接触性质的研究
【摘 要】
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碲锌镉(CdZnTe)晶体是宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物，具有优异的光电特性，是制备室温X射线及γ 射线探测器的一种理想半导体材料.CdZnTe欧姆接触特性对探测器性能有重要的影响，一直是人们研究的热点和难点.
【机 构】
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上海大学 材料科学与工程学院;中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院上海技术物理研究所
【出 处】
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第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2016年5期
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