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本文提出了一种利用栅极耦合技术的改良型GCNMOS抗ESD设计技术,并将该技术的实际应用结构与传统的栅极接地结构进行了对比和实验,在TSMC 0.25工艺流片后测试抗ESD能力可达8kV。
一种改进的GCNMOS ESD保护结构
【摘 要】
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本文提出了一种利用栅极耦合技术的改良型GCNMOS抗ESD设计技术,并将该技术的实际应用结构与传统的栅极接地结构进行了对比和实验,在TSMC 0.25工艺流片后测试抗ESD能力可达8kV。
【机 构】
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江南大学信息工程学院 江苏 无锡 214036 中国电子科技集团公司第58研究所 江苏 无锡 214035
【出 处】
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中国电子学会第十四届青年学术年会
【发表日期】
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2008年5期
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