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本文采用金辅助金属有机物化学气相沉积法在GaAs(111)B衬底上生长了InP／GaAs轴向串接异质结构纳米线。扫描电子显微镜分析表明，GaAs纳米线部分整齐排列垂直于衬底，生长在GaAs纳米线上的InP纳米线沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长，生长的InP／GaAs纳米线异质结构具有复杂而多样的形貌的特点。此外，本文详细分析了导致InP／GaAs纳米线生长方向混乱的机理。