切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
会议论文
超薄栅MOS器件退化过程中的缺陷势垒
超薄栅MOS器件退化过程中的缺陷势垒
来源 :第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:coolsun070279
【摘 要】
:
用统计实验研究了从SILC到SBD、HBD几个典型的退化阶段中缺陷的势垒高度和缺陷电流的变化。从SILC到SBD、HBD都是由同一种缺陷引起的缺陷带导电所致,它们的缺陷势垒高度和
【作 者】
:
许铭真
贾高升
谭长华
【机 构】
:
北京大学微电子研究院,北京 100871
【出 处】
:
第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
:
2011年期
【关键词】
:
超薄栅
MOS器件
退化过程
缺陷密度
势垒高度
退化阶段
实验研究
电流
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
用统计实验研究了从SILC到SBD、HBD几个典型的退化阶段中缺陷的势垒高度和缺陷电流的变化。从SILC到SBD、HBD都是由同一种缺陷引起的缺陷带导电所致,它们的缺陷势垒高度和缺陷电流的差别仅仅是击穿通道中的缺陷密度不同。随着缺陷密度增大,缺陷的势垒高度逐渐下降。
其他文献
合作学习在读后续写中的运用
读后续写是近年来英语高考中新增的写作题型,面对这个新题型很多学生感到很困惑.本文旨在探讨合作学习在读后续写中的运用,希望给读后续写教学带来一些启示.
期刊
读后续写
合作学习
英语教学
互联网+背景下的初中英语阅读与写作教学的有效结合探究
随着教育改革的不断深入,教育教学思维不断创新发展,传统的教学模式已经不能满足时代发展的需求,信息技术时代利用互联网技术进行教学已经成为教育教学的大趋势.本文笔者将从
期刊
互联网
英语
读写
采用TA8659AN机心的整机电路故障分析及检修(下)续
对于识别放大器来说,当PAL开关动作错误时,输出端是低阻状态,迫使双稳态触发器翻转一次,把PAL开关的错误状态给予纠正。当PAL开关正确时,放大 For the identification ampli
期刊
整机电路
双稳态
色同步信号
故障分析
低阻
开关动作
开关
触发器
消色
对比度
如何加强初中语文的诗歌教学
新课改纵深推进,教师应紧抓学科育人特点,促进学生综合能力的全面发展.初中语文既担负着着承上启下的教学任务,也需重视对学生思维能力与审美意识的培养,彰显学科育人优势,让
期刊
加强
初中语文
诗歌教学
策略
基于SOI工艺的低压MOSFET器件ESD特性研究
基于自主开发的SOI高低压兼容工艺,研究了低压NMOS和PMOS器件的ESD特性,分析了器件发生击穿和骤回的物理机制。结合理论分析和流片后的TLP测试结果,发现NMOS和PMOS器件的ESD
会议
SOI
兼容工艺
高低压
MOSFET器件
ESD
PMOS器件
自主开发
物理机制
透镜球面曲率半径对成像影响的实验研究
影响透镜成像的因素很多,本文在其他因素不变的情况下,主要分析和研究空气中透镜球面曲率半径对成像的影响。分别利用不同曲率半径代入厚透镜成像公式和薄透镜成像公式进行理论
期刊
透镜
球面曲率半径
成像
厚透镜
薄透镜
纳米MOSFET微波射频建模和参数提取技术
主要介绍了纳米MOSFET器件微波射频建模和参数提取技术的最新研究进展。建模技术主要包括小信号等效电路模型和噪声模型,参数提取技术主要包括寄生元件,本征元件和噪声参数
会议
纳米
MOSFET器件
微波射频
建模技术
参数提取技术
小信号等效电路模型
噪声模型
噪声参数
锗硅HBT器件的低温直流特性研究
研究了在低温下锗硅HBT器件的直流特性变化特点。与硅器件相比,锗硅器件在低温下具有性能优势,即直流增益在低温下不降反升。大注入下,会存在异质结势垒效应,从而导致Ic的增
会议
锗硅器件
HBT
低温
直流增益
异质结势垒效应
直流特性
性能优势
变化特点
基于SOI的电容式微加速度计机电一体化模型
针对当前微加速度计系统机电联合仿真模型不够精确,参数提取过程复杂等特点,根据运动学理论,结合SOI器件层应力梯度分析,提出了基于SOI技术的微加速度计Simulink机电一体化仿
会议
SOI器件
电容式微加速度计
机电一体化
仿真模型
电压灵敏度
运动学理论
优化结构
提取过程
Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型
在综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应的基础上,通过求解泊松方程,建立了小尺寸Si基Ge沟道pMOSFET阈值电压模型,其模型计算值与实验结果吻合。模拟分析表明,当Ge沟道长度
会议
沟道长度
pMOSFET
阈值电压模型
短沟道效应
栅氧化层厚度
衬底掺杂浓度
势垒
实验结果
与本文相关的学术论文