高精度电流源矩阵型数模转换器电流源偏置电路设计

来源 :第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:LIUSHENGWU5
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文采用带隙电压源的方法实现了一种为高精度数模转换器提供偏置的参考电流源.基本思想是使用半导体硅能带带隙特有的温度特性,产生一受外界温度影响较小的恒定电压,然后通过一外接高精度电阻产生受温度影响较小的偏置电流源.该电流源用于作者设计的12位高速电流模式数模转换器获得成功.
其他文献
在对支撑矢量回归的参数性能进行分析的基础上,引入了免疫进化算法对支撑矢量回归的模型参数和核参数进行优化.免疫进化算法是一种集免疫机制和进化机制于一体的一种新的全局
期刊
拥有PiN二极管高阻断电压、低漏电流和肖特基势垒二极管(SBD)小开启电压,大导通电流以及高开关速度的优点,具有很好的开关特性的碳化硅MPS(Merged PiN Schottky diodes)是最
对外经济贸易大学国际经济研究院成立于1982年,是学校直属的综合性研究与教学机构,在国际经济贸易研究领域具有较高知名度和影响力。经过近30年发展,研究院已形成一支高、中
研究了场板终端技术对改善MOSFET栅下电场分布和磁撞电离率的作用,结果表明,MOSFET在高压应用时,漏极靠近表面的PN结处电场最强,决定器件的击穿特征.通过对实验研究与计算机
采样MOS开关的沟道电荷注入效应是影响模数转换器采样精度的重要因素之一,本文利用开关-电容结构的底板采样技术,通过对时钟的控制,有效消除了沟道电荷注入效应.
光刻技术一直是集成电路工业发展中的重要推动力,移相掩模是提高光刻分辨率的重要分辨率增强技术.本文对无铬相位光刻和有铬的常规混合移相掩模进行了初步研究,采用PROLITH8.
会议
本文采用一种异质结等效模型解释多晶硅RCA晶体管的高增益.将多晶硅与单晶硅之间的氧化硅等效为一宽禁带的介质层,由于势垒的作用限制了空穴由发射极单晶硅向发射极多晶硅的
用VHF-PECVD法沉积大面积硅基薄膜已经得到广泛的研究,其中主要的问题是均匀性,而影响大面积薄膜均匀性的主要原因是由于电极板电场分布的均匀性.本文主要介绍了影响电场分布
世界进入 2 1世纪的第一年 ,适值中国共产党80周年诞辰。回顾党走过的 80年光辉历程 ,展望党领导中国人民进行社会主义建设事业的美好前景 ,作为世界经济研究工作者 ,我们心
期刊
本文建立了SiGe pMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的准静态物理模型,讨论了器件结构中δ-掺杂层的杂质浓度与体征层厚度与空穴面密度的关系,以及栅压与空穴面密度的关系.最后,