溅射工艺制备铁电薄膜

来源 :第八届全国电介质物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:genye
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在Pt/Ti/SiO<,2>/Si和玻璃衬底上,用射频磁控方法在低温(250℃)下沉积薄膜,然后通过热退火得到了高度取向的PZT(30/70)铁电薄膜及PLT(28/0/100)多晶铁电薄膜。初步研究了溅射气压和退火条件与薄膜结构的关系。由RT66A标准铁电测试仪测得PZT(30/70)薄膜的铁电特性,其剩余极化值Pr和矫顽场强分别为11uC/cm<’2>和86KV/cm<’2>。
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