【摘 要】
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在微晶硅太阳电池中,P层作为电池的窗口层对电池的性能有重要影响.本文采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)的方法制备P型氢化微晶硅(c-Si:H)薄膜材料,重点研究了压力变化(200～550Pa)对薄膜沉积速率、电学特性、结构特性的影响.结果发现:沉积速率随压力的增加而不断提高,材料的暗电导、晶化率随压力的增加先提高后降低,而激活能的变化趋势与之相反,在晶化率最高点,材料在(220)的
【机 构】
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河北工业大学信息学院,天津,300130 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件
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在微晶硅太阳电池中,P层作为电池的窗口层对电池的性能有重要影响.本文采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)的方法制备P型氢化微晶硅(c-Si:H)薄膜材料,重点研究了压力变化(200～550Pa)对薄膜沉积速率、电学特性、结构特性的影响.结果发现:沉积速率随压力的增加而不断提高,材料的暗电导、晶化率随压力的增加先提高后降低,而激活能的变化趋势与之相反,在晶化率最高点,材料在(220)的晶向衍射峰最高.最后在高压下结合优化其他参数,在厚度为38nm时获得了电导率为0.183Scm-1,激活能为37meV,晶化率为50﹪的优质P型微晶硅薄膜.
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