【摘 要】
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在电子束持续轰击下由于表面电荷积累,MgO薄膜的二次电子发射系数会随着时间逐渐减小,掺入Au能有效地提高薄膜的导电性,抑制表面电荷积累效应,改善其二次电子发射特性.本文采
【机 构】
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西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,陕西西安,710049
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第二十届学术年会
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在电子束持续轰击下由于表面电荷积累,MgO薄膜的二次电子发射系数会随着时间逐渐减小,掺入Au能有效地提高薄膜的导电性,抑制表面电荷积累效应,改善其二次电子发射特性.本文采用反应磁控溅射法制备了MgO/Au复合薄膜,研究了氧化镍(NiO)缓冲层对复合薄膜表面形貌的影响以及逐层渐变的Au靶溅射功率对复合薄膜表面形貌和二次电子发射特性的影响.研究表明,NiO缓冲层的加入有利于不锈钢衬底表面平整度的提高和MgO晶粒的生长;Au靶溅射功率由底层至顶层逐渐减小的方法能控制MgO/Au复合薄膜中Au的含量,减小Au对MgO晶粒生长的抑制作用,提高复合薄膜的二次电子发射特性.
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