【摘 要】
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利用激光脉冲沉积技术在CaF2单晶基底上制备出了高质量的FeSe0.5Te0.5超导薄膜.本工作仔细研究了FeSe0.5Te0.5薄膜的磁光特性和传输特性,分析了薄膜的钉扎机制.磁光测量
【机 构】
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中国科学院电工研究所中国科学院应用超导重点实验室,北京100190
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利用激光脉冲沉积技术在CaF2单晶基底上制备出了高质量的FeSe0.5Te0.5超导薄膜.本工作仔细研究了FeSe0.5Te0.5薄膜的磁光特性和传输特性,分析了薄膜的钉扎机制.磁光测量的结果表明FeSe0.5Te0.5薄膜的临界电流密度可达2.67× 106A cm-2,而且电流均匀的分布在薄膜中.利用传输法测量薄膜在不同温度、不同磁场下的转角电流输运特性,测量结果表明,当温度低于15K,FeSe0.5Te0.5超导薄膜的传输电流几乎是各向同性的.根据Kramer法分析结果,结合Dew-Hughes模型,可以得出FeSe0.5Te0.5超导薄膜中的钉扎类型是点缺陷钉扎的结论.进一步的分析表明,点缺陷是随机分布在薄膜中的,这与透射电镜的观测结果是一致.从而,我们认为这种随机分布的点缺陷钉扎使得薄膜中的传输电流几乎是各向同性的.
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