【摘 要】
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我们报道了利用PLD方法在300℃的较低生长温度下在CaF2基底上制备的高质量FeSe0.5Te0.5(FST)薄膜.薄膜的传输Jc在4.2K自场时高达1.36MA cm-2,并且在9T时仍然保持0.97MA c
【机 构】
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中国科学院电工研究所,北京100190
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我们报道了利用PLD方法在300℃的较低生长温度下在CaF2基底上制备的高质量FeSe0.5Te0.5(FST)薄膜.薄膜的传输Jc在4.2K自场时高达1.36MA cm-2,并且在9T时仍然保持0.97MA cm-2,说明了薄膜具有较弱的磁场依赖特性.在FST薄膜中,Jc的各向异性(γ=JcH//ab/JcH//c)在9T时仅有1.09.此外,与其他研究工作相比,在薄膜与基底的界面间没有发现清晰的非晶层,可能是由于较低的生长温度和较低的激光频率.此外,透射电子显微镜在薄膜中观察到了一些尺寸约为5 nm×20 nm的点缺陷.这些点缺陷可能是超导性能几乎各向同性的原因.
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