【摘 要】
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本文研究了pin型非晶硅(a-si)太阳电池p/i界面掺碳缓冲层(C-buffer layer)沉积时间对电池效率和稳定性的影响。研究发现,随着掺碳缓冲层沉积时间的增加,太阳电池的初始效率有
【机 构】
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河北工业大学信息功能材料研究所; 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;
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本文研究了pin型非晶硅(a-si)太阳电池p/i界面掺碳缓冲层(C-buffer layer)沉积时间对电池效率和稳定性的影响。研究发现,随着掺碳缓冲层沉积时间的增加,太阳电池的初始效率有所增加,当沉积时间增加到60秒时,电池的初始效率为最大值,而后随着沉积时间的继续增加,电池效率下降;而太阳电池的稳定性在缓冲层沉积时间较短时较好,随着沉积时间的增加,电池衰退率增大。
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