近年来,发光二极管(LED)因其各方面性能的优势逐步替代了白炽灯和荧光灯作为主流照明光源。并且随着人们物质条件的提高,对于光品......

研究了InGaN/GaN超晶格准备层的生长温度对Si衬底GaN基黄光LED光电特性和老化性能的影响。研究发现准备层生长温度较高的样品外量......

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近年来， GaN基LED发展迅速，开启了半导体照明的时代，使LED进入了人们的生活，被大众所熟悉。然而，半导体照明的普及还有很长的路要走。目......

采用MOCVD技术在图形化硅衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱黄光LED外延材料,研究了不同的量子阱生长气压对黄光LED光电性能的影响。......

现有的白光LED是通过蓝光LED激发黄色荧光粉获得的,虽然其光电转换效率已远超白炽灯和日光灯,但其显色指数、色温和光效之间难以协......

目前Ⅲ族氮化物LED研究取得了突破性进展,蓝光LED的内量子效率已经高达8587%。为适应不同波段的应用需求,GaN基LED的研究重点向高A......

为了探究具有双层电子阻挡层设计的GaN基黄光LED中首层电子阻挡层(EBL-1)Al组分对内量子效率的影响以及其中载流子注入的主要物理......