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非晶半导体材料相关论文
非晶硅薄膜晶化与结构特性的研究
本文采用TED、SEM和X光谱分析法研究了在550~750℃范围内用常压CVD法生长非晶硅薄膜的晶化和结构特性。指出了CVD非晶硅的晶化温度......
期刊
非晶硅薄膜
激活能
晶化温度
无序结构
非晶半导体材料
光谱分析法
温度范围
硅膜
晶粒大小
扫描电子显微镜
硫系玻璃GeSb(As)Se系列的物理性能分析
硫系玻璃是由元素周期表VIA族中硫、硒、碲三种元素中的一种或多种元素与电负性弱于该元素的其它元素共同合成的一种无机玻璃。硫......
学位
GeAsSe玻璃
GeSbSe玻璃
拉曼光谱
热导率
平均配位数
高斯曲线拟合
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液相脉冲激光烧蚀
纳米颗粒
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