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现如今,高速发展的电子工业对微电子技术提出了更高的要求,希望微系统的功能密度和性能不断提高。由于集成电路器件特征尺寸逼近物......
针对硅通孔热应力导致的沿不同晶向放置的器件迁移率变化进行了讨论.依据弹性理论,铜和硅衬底之间的热膨胀系数失配能够产生硅通孔......
本文主要讨论了多个硅通孔引起的热应力对迁移率和阻止区的影响,得到了器件沟道沿[100]方向时,硅通孔之间的角度和间距对电子迁移......
