选择扩散相关论文
本专利叙述,以渗透扩散隔膜选择扩散的手段,纯化氢和从含氢的混合气体中分离氢的方法。氢渗透隔膜由钯和少量的钌组成。本专利提......
本文通过对三元相图及扩散通道的分析,来探讨在进行表面处理时及用扩散法制备复合材料的过程中,中间层各相的形成过程及演化过程.......
利用纳米发光材料的X射线发光断层成像(XLCT)作为一种新型的成像模态,能够同时进行功能成像以及分子成像。在XLCT中,光子在组织中......
在航天产品上,整机系统断路失效的原因主要有三种:(1)电子元器件外线断裂;(2)疲劳断裂;(3)焊接不良。本文仅对焊接不良问题做初步......
对 H_2S 腐蚀后发生裂纹或穿孔的设备,维修时不能采用一般的焊接工艺,需作特殊要求。否则,补焊效果不理想,有的在几天后就出现整......
新的爆炸危险度Ｆ值近藤重雄，岩孤雅二等１序言可燃性气体的爆炸危险性指标，有爆炸极限、着火点、最小着火能、爆炸压力等。可是，以爆炸极......
一、前言自从晶体管采用把杂质扩散到固体内形成 PN 结的方法以来,它的性能和制作技术有了很大的进步。由于光刻腐蚀技术和选择扩......
一、引言GaAs器件和Si器件一样,也常常需要一种钝化膜来提高器件的可靠性,或是作为杂质选择扩散的掩膜。目前GaAs器件常用的介质......
一、引言制造集成电路的工艺周期长又复杂,在各个制造工艺中影响最终的电特性的主要因素很多。为了提高集成电路的电特性,找到这......
研究了566～715℃温度范围内 InP 中 Cd 和 Zn 的扩散问题。采用由 Cd_3P_2和 InP 粉末为混合源的 Cd 扩散,使我们能得到几微米以下......
为了在InP/InGaAs(P)材料中进行精确的选择扩散,同时又要保证外延生长的多层异质结构不被破坏,提出了一种新的低温开管Zn扩散方法......
本文提出一种用一次扩散获得不同硼杂质浓度和结深的器件制造方法,它是利用高浓硼杂质穿透二氧化硅层的选择扩散来实现的。采用这......
封装技术及其制造设备的发展方向本田辰夫前言从系统构成上讲，电子机器的组装必须经过若干个层次的封装级别。图１示出这种机器或系统......
本发明是应用在半导体单晶体内扩散电阻的半导体应变计来检测压力的压力传感器。 此种压力传感器,是对n型硅之类半导体的单晶体选......
阳极短路型门极可关断（ＧＴＯ）晶闸管制造技术的关键工艺是短路区的制作。实验证明，短路区的制作可以用先选择性扩散Ｎ＾＋层，然后再扩散镓的方法来......
该文从金属焊料焊接时选择扩散的定义引入了铅锡焊料焊接时形成的富铅层概念,并结合我所电子元器件电路种类及特点,对富铅层的形成......
