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迁移率波动相关论文

基于迁移率波动的MOSFET线性区域1／f噪声模型

统一的1/f噪声模型,例如BSIM3模型,已经在噪声预测与分析中有着广泛的应用,在多数情况下有很好的效果.然而文献[1]中基于物理机理......

期刊

线性区域 1/f噪声模型金属氧化物半导体场效应管迁移率波动载流子数量波动 MOSFETS 1/f noise mobility fluctuation n

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