薄膜均匀性相关论文
建立了反应腔室模型,模拟分析了原子层沉积(ALD)过程中前驱体质量分数随其通气时间的变化趋势.采用ALD法制备了ZnO薄膜,采用原子力......
我们对现存三室PECVD设备进行了改造,借鉴国外的经验,将PECVD系统的阴极单板结构改造为喷淋式的三层结构,进气方式由侧进气改为下......
采用磁控溅射技术在异形工件表面制备薄膜时,工件各个部位与溅射靶材之间存在不同的倾斜角度,会导致“阴影效应”。“阴影效应”的......
本文介绍了薄膜SOI上大于600V高压LDMOS器件的器件结构，并对设计的器件工艺和性能进行仿真分析，结果表明：对器件形貌进行SEM电镜......
利用径向基函数网络插值法模拟薄膜表面形态，并利用反距离加权平均插值法研究了薄膜的均匀性与静置时间和提拉速度的关系。结果表明......
介绍了低压化学气相淀积多晶硅薄膜的制备原理及制备技术.对多晶硅成膜质量进行了分析,分析了影响多晶硅薄膜均匀性、致密性、淀积......
该文研究了天线耦合式MPCVD制备金刚石薄膜的特点，考察了气体压力、甲烷浓度、输出功率及基体位置对沉积面积及沉积薄膜均匀性的影......
分析了EI-5Z型电子束镀膜机膜厚控制的特点。借助试验结果和理论研究,重新设计了更具实用性的调整板,得到了更好的薄膜性能:基片内......
本文介绍了一种独特的贵重金属溅射靶的结构设计,并在此基础上对贵重金属磁控溅射薄膜工艺进行研究,结果表明新型靶的设计可以有效......
采用两次重复的23析因实验设计,应用方差分析方法,研究了旋涂工艺中聚合物溶液的浓度,匀胶机的旋涂速度和加速度对旋涂的薄膜厚度......
采用VHF-PECVD技术在多功能系统(cluster tool)中制备了系列硅薄膜,研究薄膜的均匀性及电学特性和结构特性.结果表明:气压和功率的......
多轮廓型腔结构件具有复杂的内腔，普通镀膜方法对工件内腔镀膜过程中存在膜基结合力差、靶材利用率低、薄膜厚度不均匀致密、内腔死......
介绍了一种新的简单有效的薄膜均匀性信息获取方法。该方法基于我们先前提出的纳米薄膜厚度精确测量方法,它通过检测镀制在含有过......
在常用的薄膜制备方法中，溅射沉积技术是重要的制备技术之一。该技术虽然应用广泛，但是目前制备出的电子薄膜还存在一些问题需要解决......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
本服务利用常压化学气相沉积法在浮法玻璃表面制备了二氧化钛薄膜，研究了水蒸气、氧气含量和衬底温度以及反应器与衬底的距离对薄膜......
