自洽计算相关论文
对W波段MW级回旋管进行了整管设计.工作模式选择为TE22,6,1,分别进行了冷腔和自洽计算,针对设计目标选择了设计参数并计算了起振电......
在外加电压或电流的作用下，体系的电阻值在多个阻态之间发生变化的现象称为电致电阻效应。电致电阻效应存在于多种体系结构的材料中......
利用有限差分法对δ掺杂InAlAs/InGaAs异质结进行了理论研究,通过对schr dinger方程和poisson方程的自洽求解,得到器件中2DEG密度......
近年来，AlSb/InAs/GaSb锑化物半导体异质结的材料生长和器件研究引起了人们的极大兴趣，并取得了很大的进展。对于高电子迁移率晶体管......
自从1986年高温超导体发现以来，人们对高温超导体的正常态性质和超导性质进行了大量的实验和理论上的研究，这些工作大大提高了人们对......
学位
根据紧束缚哈伯德模型，并考虑到无序的掺杂势，我们研究了两维s波d波混合配对模型的超导体的光电导率和无序对其的影响。通过自洽计算......
本论文在漂移-扩散的模型基础上，讨论了氧化物薄膜电致电阻效应的理论机制。我们利用数值计算方法，研究了钙钛矿锰氧化物材料内部的......
利用数值计算的方法研究了InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)中沟道厚度对沟道中二维电子气(2DEG)性质的影响,并对产生这种影响的原因......
研究了不同沟道厚度的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.在考虑了两个子带电子之间的磁致......
正如人们所知,可以通过电场或者设计非对称的半导体异质结构来调控体系的结构反演不对称性（SIA）和Rashba自旋劈裂.本文研究了Al_（0.6）G......
利用Ｇｒｅｅｎ函数理论，核物质近似和半经典变分方法，自洽地计算了中能区ｎ＋＾４０Ｃａ系统和ｎ＋＾２０８Ｐｂ系统的光学势实部。......
对具有一定宽度的锯齿形石墨烯纳米带用对角化其哈密顿的方法自洽地计算了电子在半填满的情况下石墨烯的性质,结果发现：锯齿形石墨......
用数值方法对半导体折射率波导激光器的模式进行了研究。提出了一种方法可以高效并且自洽地求得谐振腔内的模式分布。利用该方法对......
本论文主要讲述了处理非平衡态开放体系量子输运问题的第一性原理非平衡态格林函数方法,并介绍了在此理论基础上对有机晶体管电流......
研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubnikov-deHaas(SdH)振荡效应和霍耳效......
AlxGa1-xN/GaN量子阱具有大的导带偏移、强的极化效应、大的LO声子能量和大的电子有效质量等特点。大的导带偏移有利于在AlxGa1-xN......
使用量子强子动力学模型,在相对论Hartree自洽近似下计算了核物质中强子的有效质量.结果表明,核子、ω和p介子质量随核物质密度的......
为了设计以半导体异质结构量子点接触(QPC)为基础的器件,需要掌握QPC结构中静电势的分布及其控制方法。本文研究QPC中静电势的数值......
本论文主要研究了Ⅲ-Ⅴ族稀磁半导体材料(DMS)的磁性特征,基于一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,我们着重分析了材料的自旋极化......
利用有限差分法对δ掺杂InAlAs/InGaAs异质结进行了理论研究,通过对schr dinger方程和Poisson方程的自洽求解,得到器件中二维电子......
从热传导方程出发，考虑Nottingham效应和焦耳热情况下，采用自洽求解了圆锥形场发射体的尖端表面温度；定量讨论了温度与给定的圆锥形场......
