自对准发射极相关论文
报道了一种采用 U形发射极新结构的高性能 In Ga P/ Ga As HBT.采用自对准发射极、L EU等先进工艺技术实现了特征频率达到 1 0 8GH......
本论文主要对HBT器件与电路工艺、新结构InGaP/GaAs HBT以及射频功率放大器的研制进行研究.针对制约HBT性能提高的主要非线性因素C......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP/GaAs HBT.采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz,最大振荡......
研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP／GaInAs单异质结双极晶体管．采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥......
