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ZnO作为一种极富前景的直接带隙宽禁带半导体材料,具有大的室温激子束缚能、优异的辐照稳定性以及形貌和纳米结构的可控合成等优点......
采用固相反应工艺制备了不同浓度掺杂Fe的四针状氧化锌晶须（T-ZnO），利用XRD研究了掺杂后T-ZnO的物相结构，用荧光光谱研究其发光性能。......
