线边缘粗糙相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

线边缘粗糙相关论文

基于TCAD方法的22纳米非平面器件研究

随着摩尔定律的不断推进，器件的尺寸在不断的缩小，为了抑制日益严重的短沟道效应，增强器件的栅控能力，人们提出了一种新型三维非平面器......

学位

TCAD法非平面场效应晶体管线边缘粗糙侧墙倾斜沟道截面量子效应密度

纳米尺度MOSFET器件波动性研究

随着半导体技术的不断发展进入纳米时代后，器件参数的涨落逐渐成为进一步缩小器件特征尺寸的最大挑战之一。它对器件和电路的性能、......

学位

随机涨落线边缘粗糙随机掺杂涨落阵列器件

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