氧化锌（ZnO）作为一种传统的金属氧化物半导体材料,在发光二极管、光催化剂、光探测器及传感器等领域展现出了巨大的应用潜力。在ZnO......

作为一种金属氧化物半导体材料,ZnO(氧化锌)的禁带宽度为3.37 eV,激子结合能为60 meV,远高于其他宽禁带半导体材料,在光电器件领域......

研究以醋酸镍为Ni源,通过水热方法合成不同浓度Ni掺杂的ZnO纳米棒阵列膜,采用XRD、PL以及XPS等测试方法对掺杂的ZnO纳米棒阵列膜进......

氧化锌的激子结合能(60meV)及光增益系数(300cm^-1)比GaN的(25meV，100cm^-1)还高，这一特点使它成为紫外半导体激光发射材料的研究热......