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Ⅲ族氮化物半导体微纳结构的制备及其光学性质研究
Ⅲ族氮化物是一种直接带隙半导体材料,拥有诸多优异的物理化学性质,通过改变合金比例,其禁带宽度在0.7eV到6.2eV间连续可调,发光波长可......
学位
氮化物半导体
布拉格反射镜
微盘
光子晶体
紫外软纳米压印
纳米柱
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