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加热去氩处理工艺对离子束混合沉积的C—SiC涂层阻氢性能的影响
利用Ar^+离子束混合技术在不锈钢基体上沉积C—SiC涂层,然后对部分样品进行加热去氩处理(400℃,30min),再用5keV氢离子源辐照样品。通过......
期刊
C-SiC涂层
离子束混合沉积
阻氢
扫描电镜
二次离子质谱
C-SiC films
ion beam mixing
hydrogen resistance
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