离子束沟道相关论文
利用离子束背散射沟道技术分析测量了室温条件下轻元素杂质掺入Si:Er系统后,对铒在硅中微观结构的影响.初步结果显示,轻元素氧的掺......
用RBS/沟道技术对MOCVD生长的未故意掺杂的GaN的结构性能进行了测试,同时用霍耳方法测试了样品的电学性能.结果表明:GaN薄膜的背散......
用RBS/沟道技术对MOCVD生长的未故意掺杂的GaN的结构性能进行了测试,同时用霍耳方法测试了样品的电学性能。结果表明:GaN薄膜的背散射沟道说与随机谱......