硅基氮化镓相关论文
硅衬底GaN基微盘激光器模式体积小、功耗低,在光电集成、单光子发射、化学生物探测等领域具有重要的应用前景。常规GaN基微盘激光......
宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)具有禁带宽度宽、临界击穿电场强度大、饱和电子漂移速度高、介电常数小以及良好的化学稳定性等优点,......
There is a great potential in cost reduction for optoelectronics and power electronics by epitaxially integratingⅢ-Nitr......
AlGaN/GaN异质结器件因其高的临界击穿电场、高电子迁移率和良好的温度特性在下一代大功率和高频应用中展现出了巨大的潜力,二极管......
硅基氮化镓半导体,已被成功用于制造具有单面出光的高光效蓝光、绿光和黄光发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)。这种新型基础......
LED器件已经广泛用于通用照明、背光显示等传统领域,也逐渐向智能化应用融合。随着LED器件的不断发展,基于LED的可见光通信技术也......
随着无线通信技术的迅猛发展,光子器件已经成为通信革命的核心。氮化镓材料因其优异的光电转化性能在现代可见光通信领域发挥着至......
作为第三代半导体材料的代表，GaN材料具有宽禁带，高电子迁移饱和速度，高导热性等优良特点。本身具有的强自发和压电极化效应能在AlGaN......
针对低成本、大尺寸的GaN HEMT技术,回顾了近年来Si基GaN射频器件在大尺寸材料外延生长、器件制备工艺与单片集成电路等方面的国内......
研究了硅基AIGaN-MOS功率器件的热阻和压降这二个电热参数,提出了参数的测试原理和方法,给出了一种测试设备的电原理图。成果来自......
通过对Si基GaN材料的电学性能进行测量分析,确认了该材料体系所特有的寄生导电层现象。研究了寄生导电层对Si基GaN高电子迁移率晶......
研究了Ｓｉ基ＧａＮ上的欧姆接触，对在不同的合金化条件下铝（Ａｌ）和钛铝铂金（Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ）接触在不同的合金下的性质作了详尽的分析。Ａｌ／ＧａＮ在４５０℃氮气气氛退火３ｍｉｎ取得最好的......
硅基氮化镓技术多应用于功率半导体器件,是各个国家争相攻克的尖端技术。从专利技术流向、专利地区分布、竞争局势、专利运营与纷......
采用晶圆级工艺,制备了一种单片集成光源和直波导的硅基氮化镓光电集成器件,结合聚焦离子束技术,使用Ga离子束在直波导上刻蚀形成......
基于Si基GaN HEMT材料制作了击穿电压530V、无场板的功率电子器件。器件制作工艺与现有GaN微波功率器件工艺兼容。研究了器件栅漏......
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毫米波以其可用频带宽、信息容量大、可实现高速传输的特点,成为了通信系统网络的研究热点,又因其保密性和抗干扰能力强以及可全天......
