砷注入相关论文
最近，选用Ｎ 型体材料碲镉汞（Ｈｇ１－ ｘＣｄｘＴｅ） 作衬底，成功制备了平面ＰｏｎＮ 结构的光电二极管。文中报道了制备各个波段ＰｏｎＮ 结的一些进展。碲镉汞平面Ｐ......
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性，并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较......
根据T.L.Chiu和H.N.Ghosh提出的双受主空位扩散模型,采用Crank-Nicolson六点差分法离散变系数扩散方程,对砷离子注入硅的扩散系数......
本文研究砷注入硅后以高频感应石墨作辐射热源的快速热退火过程.实验结果表明,快速热退火过程可分为二个阶段:第一阶段为固相外延......
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性,并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较.结果表明多晶硅发射极晶体管具有较......
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性，并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能的进行比较。结果表明多晶硅发射极晶体管具有较......
超大规模集成电路与真空微电子器件的发展，要求制备超线浅Ｐ－Ｎ结，低能量和大倾斜角离子注入成为一种有吸引力的新技术，本文借助于曳散射沟......
利用脉冲YAG激光器 (脉宽为 1 0ns ,波长为 1 .0 6μm)对砷注入长波碲镉汞样品进行激光退火实验 ,分析注入退火引起的样品电学性质......
