砷化镓晶体管相关论文
本文介绍了GaAs微波大功率FET的设计、制作和性能,内匹配功率合成技术研究等.工艺采用高质量MBE材料,成功地制作了大栅宽(单胞12mm......
据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道，该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体......
在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上，对HBT的基区电流进行了研究，特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电......
据报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破......
归纳了GaAs PHEMT器件的几种常见失效模式,并从6个方面分析了PHEMT器件的失效机理:热电子应力退化、氢效应、2DEG结构退化、欧姆接......
9月5日，据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网日前报道，该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化......
美国威斯康星大学麦迪逊分校的研究人员成功制作出了1英寸碳纳米晶体管，在性能上首次超过了硅晶体管和砷化镓晶体管。......
低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)是接收机系统的关键器件,其性能决定了接收机系统的噪声温度和对微弱射电信号的放大能力。......
