电子发射性能相关论文
真空沟道金属-氧化物-半导体(MOS)二极管是一种电子在真空沟道中的弹道传输与固态电子器件结构相结合的产物,兼具了真空电子器件和......
针对毫米波和太赫兹器件对于大电流密度阴极的要求,利用常规工艺制备了含Sc2O3和SrO的浸渍钡钨阴极.电子发射测试结果表明,该阴极......
一维氧化锌(ZnO)基复合材料由于其独特且丰富的结构和基本性能而具有优异的压电性能、导电性能、光电子发射性能、灵敏度、催......
利用电泳沉积制备石墨烯阴极,通过简单的溶液法在石墨烯表面生长氧化锌量子点,改善场发射性能.石墨烯-氧化锌量子点复合发射体表现......
本文主要介绍了表面传导电子发射显示器件(SED)在两种测试环境下的电子发射特性和发光亮度测试工艺和测试结果,并对实验现象进行系......
射频器件中的二次电子倍增效应通常会产生许多不良影响，使用TiN镀层来抑制射频器件中的二次电子倍增已经有许多成功的应用。本......
本文研究作为彩色等离子体显示器(PDP)中的介质保护膜,要求具有优良的二次电子发射性能,为此必须优选基底温度、氧分压强、沉积速......
采用二极管结构，对真空磁过滤弧源沉积非晶金刚石薄膜（amorphous diamond:a-D）的电子场发射性能进行了研究。结果发现，非晶金刚石薄膜......
综述了电真空器件用热阴极材料，提出稀土的掺杂可以显著提高热阴极材料的电子发射性能和器件工作可靠性，对稀土元素的作用机制需要深......
本论文采用添加少量铼元素的液固掺杂法制备浸渍型含钪扩散阴极的基体粉末,同时选用液液掺杂法即溶胶凝胶法制备含钪钨粉末,用来提......
含钪扩散阴极具有极其优异的低温高电流密度的电子发射的能力,是目前唯一能满足新型电子器件发展要求的热阴极材料。但含钪扩散阴......
等离子体显示器(PlasmaDisplayPanel)被认为是最适宜作为大尺寸高清晰显示器(HighDefinitionTV)的终端显示器。作为一种主动发光型......
本文针对碳纳米管薄膜的表面结构和场致电子发射性能进行研究.我们制备的碳纳米管的开启电场约3.33MV/m,阂值电场约为5.44MV/m......
为了改进氧化钪的分布均匀性及提高阴极表面氧化钪的扩散补充能力,作者在前期研究的基础上,分别采用液固掺杂和液液掺杂的方法制备......
本发明公开了一种大面积钨、钼及其氧化物的纳米线及其阵列。本发明还公开了钨、钼单质及其氧化物的纳米线及其阵列的制备方法及应......
做 Y2O3 的瞬间第二等的 emitters 被液体液体分别地做并且稳固固体的做准备。而由稳固固体的做准备了那有大谷物尺寸，扫描观察结果......
介绍了等者最近几年关于稀土钨、钼材料的研究工作。研究结果表明，在钨和钼中掺入不同稀土氧化物种类和含量，可制成系列稀土钨电极材......
随着现代科学技术的发展,钨极惰性气体保护焊(TIG)和等离子体(PLASMA)领域里正兴起自动焊接和高精密焊接、切割的新技术。同时,由......
介绍了作者们近年来在稀土钼研究方面所取得的成果。研究结果表明，稀土氧化物在强化钼的同时，对钼具有显著的韧化作用，即具有综合强韧......
研究了用离子束技术控制材料表面电子发射性能的方法,报告这一技术在抑制行波管栅极电子发射、制备场发射平板显示器阴极及改善生......
本文研究了添加不同摩尔分数镧的PZT阴极的电子发射性能。从表面介质层理论和相变发射理论两方面探讨了获得优异发射性能的阴极材......
采用实验的方法,研究了含碳气氛下表面传导电子发射显示器（SED）的电子发射性能.通过测量和比较普通真空环境与含碳气氛下电子发射的......
为了改进氧化钪的分布均匀性及提高阴极表面氧化钪的扩散补充能力,作者在前期研究的基础上,分别采用液固掺杂和液液掺杂的方法制备......
爆炸发射阴极已广泛应用于高功率微波源，但常规场致爆炸发射阴极存在使用寿命短或电子发射不均匀的问题，改善阴极材料是解决这一问题......
