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片状缺陷相关论文

注氢硅片中片状缺陷的结构特征及其深度分布的高分辨电镜研究

离子注入氢是改善硅材料性能,特别是实现硅片薄层剥离的重要途径.本文利用高分辨率电镜对注氢硅片的横截面样品进行了研究,观察了......

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注氢硅片离子注入高分辨电子显微术片状缺陷缺陷尺寸 siliconhydrogenion implantHREMplatelet defect

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