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对于超高密度的纵向磁记录和垂直磁记录,使用高饱和磁化强度的材料作为写头磁极材料是其本质要求。对于成分为Fe65Co35的Fe-Co合金......
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
用高淀积速率R.F.平面磁控溅射已制备出具有极好结晶取向和表面平整度的ZnO压电薄膜.通过X-射线衍射,扫描电子显微镜,反射式电子衍......
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一、前言在半导体器件工艺中,随着大规模集成电路向超大规模集成电路的发展,器件的尺寸不断缩小,而片子的面积不断增大,这样金属-......