封装互连相关论文
第三代半导体材料功率密度高、热导率高、禁带宽度大,其器件的互连材料需满足“低温互连,高温服役”的工作要求。传统互连材料如锡......
随着电子电力技术的进步,功率器件朝着高功率密度、高集成度的方向不断发展.互连层作为功率模块热量传输的关键通道,对实现功率模......
随着半导体工业的发展,以SiC和为代表的第三代宽禁带半导体材料近年来在功率器件应用方面引起了高度重视,同时也对用于高功率密度......
后摩尔时代,新一代芯片器件的小型化、多功能化和集成化要求更先进的集成芯片封装技术。晶圆级芯片直接倒装封装技术作为先进封装......
