基片偏压相关论文
本文通过磁控溅射技术制备了CdS 窗口层多晶薄膜和CdTe 吸收层多晶薄膜,研究了不同试验参数对CdTe 多晶薄膜的影响.利用国产的原材......
采用扫描电镜 (SEM)、X射线衍射仪、X射线能谱 (EDS)和俄歇电子能谱仪 (AES) ,研究了基片偏压对磁控溅射沉积 Al- Zn镀层组成和结......
用封闭式电子回旋共振(MCECR)等离子体溅射的方法在硅(100)基片上沉积了碳氮膜(CNx),膜层厚度约80 nm.采用Ar/N2等离子体溅射纯石......
期刊
采用电化学线性极化、交流阻抗谱技术研究了不同基片偏压上阴极电弧沉积TiN/Ti镀层在50×10-6g/g Cl-溶液中的腐蚀行为,并对镀......
利用磁过滤阴极电弧技术，通过改变基片负偏压（0—500V）制备四面体非晶碳（ta—c）薄膜，研究基片负偏压对ta—C薄膜结构和摩擦因数的影响。......
在不同的基片偏压下利用电弧离子镀技术制备氮化锆薄膜,以考察基片偏压对氮化锆薄膜微结构和表面形貌的影响。利用XRD、EPMA和FE-S......
通过测量脉冲磁过滤阴极弧等离子体沉积系统中的基片台悬浮电位,发现了弧源接地方式对基片台悬浮电位与等离子体电位影响很大.当阳......
用封闭式电子回旋共振（MCECR）等离子体溅射的方法在硅（100）基片上沉积了碳氮膜（CNx），膜层厚度约80nm．采用Ar／N2等离子体溅射纯石墨靶，研究了......
射频实验小组专门从事ICP(inductive coupling plasma)等离子体基片调谐自偏压的物理特性方面的研究工作。在以前的实验中，首次发现......
