垂直腔面发射相关论文
以高反射率的SiO2/Ta2O5介质膜DBR作为反射镜,并利用激光剥离技术,制备了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)。在光泵条件下,实现了低......
针对980 nm VCSEL单管器件的外延片进行了优化设计,通过将N型DBR的反射率降低到99.3％来提高微分量子效率,设计采用较传统GaAs具有更......
从M2因子、远场发散角、近场及远场光强分布等方面对大功率底发射半导体激光器光束质量进行研究,分析了不同器件参数对光束质量的......
加工设计了大尺寸非球面微透镜对垂直腔面发射半导体激光器光束整形。飞秒激光直写技术能够实现在三维平面内高精度微纳米量级......
本文采用新型悬臂梁式可调谐垂直腔面发射激光器结构，将具有Al0.8Ga0.2As牺牲层结构的DBR反射镜制备成微纳光机电系统(Micro-Na......
该文围绕着垂直腔面发射激光器(VCSELs)进行了系统而全面的研究,介绍了VCSELs的发展历史、研究现状和应用前景.描述了VCSELs的结构......
垂直腔面发射激光器(VCSELs)是一种新型的半导体激光器,具有出光方向垂直于衬底、能够实现在片测试、易集成、阈值电流低、效率高......
近年来，许多涉及到原子相干性的实验得到了广泛的研究和应用，如基于相干布居数囚禁(CoherentPopulationTrapping，CPT)的微波原子钟，电......
依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（ＶＣＳＥＬＳ）的结构特点，并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应，建立了多量子阱ＶＣＳＥＬＳ的速率方程，并给出了其......
文中概述了近年来国际上半导体激光器的发展趋势及各种不同的半导体激光器的具体技术指标。......
1引言光电子技术在网络、存储器等方面的应用与多媒体信息社会的发展息息相关,对信息社会的发展始终起着至关重要的作用.在世界范......
【正】 长春光机所与中科院物理所共同承担的创新项目“980nm高功率垂直腔面发射激光器”已通过成果鉴定。 在该项目的研究过程中,......
报道了ＩｎＧａＡｓ应变量子讲垂直腔面发射激光器（ＶＣＳＥＬ）的室温连续工作。在ＭＢＥ生长过程中利用红外高温仪测量了表观衬底热辐射振荡，实现了原位厚度监测；采......
报导了由选择氧化法研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功......
采用光增益与载流子浓度的对数关系，从理论上推导出量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程。比较了三维理想封闭腔与普通开腔中......
给出了垂直腔面发射激光器的小信号电路模型和调制特性，调制特性用解析计算和电路模型模拟两种方法得到，解析计算和电路模型模拟的结......
主要用数值方法分析了垂直腔面发射半导体激光器的基本特性.利用贝塞尔函数和傅里叶展开,把描述半导体激光器光子数与载流子浓度变......
本文通过对垂直腔面发射激光器发光波长随器件本身温度变化的实验研究，得到了我们研制的垂直腔面发射激光器在连续工作状态下内部温......
本文研究了增益波导垂直腔面发射激光器的横向及纵向模式特性，采用二维延伸抛物型复折射率波导结构从理论上分析了增益波导垂直腔面......
评述了垂直腔面发射半导体激光器研究的最新进展，就其结构特点、应变量子阱结构、超晶格镜面和微腔效应作了简要的论述，探讨了进一步......
针对光通信应用中一些光源输出波长和功率稳定性差的问题,研制了一种基于垂直腔面发射(VCSEL)的光传输用多波长稳定光源。详细描述......
