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Czochralski（Cz）法是最常见的晶体生长方法之一，在二元晶体制备过程中，驱动熔体流动的力包括热毛细力、溶质毛细力以及离心力和Corioli......
当生长掺S的GaSe单晶时，熔体的强烈对流和溶质扩散使得生长出大尺寸的晶体较为困难。本实验采用改进的Bridgman炉，并结合坩埚旋转技......
首次研究了一种水平移动加热器法（ＴＨＭ）从未充满的溶区中生长圆柱形晶体。转动安瓿使晶体的整个截面不断地与溶液接触，强迫对流使溶液得到......
本文采用紊流模型对提拉大直径单晶硅时,对晶体旋转、坩埚旋转及二者共同作用三种情况下,熔体内的流线、等温线、氧的浓度分布、紊......
