四甲基硅相关论文
利用平行板电极装置测定了四甲基硅于某些波长点处的激光光强指数,讨论了多光子电离(mPI)谱中某些话线的归属。通过对飞行时间(TOF......
本文采用超声分子束技术，以飞行时间质谱仪，在３９６～３８７ｎｍ内的紫激光作用下对四甲硅进行了多光子电离飞行时间质谱的研究，在较高在激光能量作用下......
本文利用平行板电极装置及飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行了多光子电离（ＭＰＩ）光谱及飞行时间（ＴＯＦ）质谱的研究。得到了激光激发波长......
在390.60nm的紫外激光作用下,利用超声分子束技术与飞行时间（TOF）质谱仪相结合的方法研究了气相四甲基硅分子多光子电离（MPI）的TOF质谱......
在 410～ 40 4nm的紫激光作用下 ,利用平行板电极装置研究了Si(CH3) 4的多光子解离 (MPD)及Si原子的双光子共振三光子电离。观察到了......
期刊
在紫 (外 )激光作用下 ,利用平行板电极装置及飞行时间 (TOF)质谱仪 ,研究了Si(CH3 ) 4分子的多光子电离 (MPI)、多光子解离 (MPD)......
在390.60nm的紫外激光作用下,利用超声分子束技术与飞行时间(TOF)质谱仪相结合的方法研究了气相四甲基硅分子多光子电离(MPI)的TOF......
在 35 5nm的激光作用下 ,利用扩散分子束技术和四极质谱装置相结合研究了气相Si(CH3 ) 4分子多光子电离 (MPI)质谱分布。测量了Si(......
本文利用TOF质谱仪研究了TMS的REMPI机理.首次获得了371.00～378.00nm范围内若干个波长点处的TOF质谱,得出了此波段内TMS的REMPI机理......
采用超声分子束技术，以飞行时间质谱仪，在４１０－３７１ｎｍ内着重检测了不同波长，不同能量的激光对气相Ｓｉ（ＣＨ３）４分子多光子电离飞行时间质谱产物分布的影响。根......
采用超声分子束技术,以飞行时间(TOF)质谱仪,于410～371nm内,在不同能量的激光作用下,着重检测了气相Si(CH3)4分子在15个波长点处的......
在390.60nm的紫外激光作用下，利用超声分子束技术与飞行时间（TOF）质谱仪相结合的方法研究了气相四甲基硅分子多光子电离（MPI）的TOF质谱，......
飞行时间质谱法研究四甲基硅的多光子电离施德恒（空军第一航空学院基础部，信阳４６４０００）利用分子束与ＴＯＦ质谱技术相结合，检测了Ｓｉ（ＣＨ３）４分子在某些波长点处......
用平行板电极装置研究四甲基硅的多光子电离施德恒（空军第一航空学院基础部，信阳４６４０００）本文检测了Ｓｉ（ＣＨ３）４在４１０－３７１ｎｍ内的ＭＰＩ光谱及若干波长点处的激光光强指数......
<正> 在半导体生产中常用化学气相沉积(CVD)方法制备纯硅.所用的硅化合物原料中,四甲基硅是很重要的一种.与其它种类相比,它不象硅......
本文报道了在３９０～３７１ｎｍ内利用平行板电极装置和飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行ＭＰＩ光谱及ＴＯＦ质谱研究的实验结果，并据此讨论了该分子可能......
本文利用平行板电极装置及飞行时间质谱仪相结合的方法对四甲基硅进行了多光子电离光谱及飞行时间质谱的研究得到了激光激发波长在......
