MoO3 纳米材料属于n 型半导体,能带间隙为2.39-2.90 eV,因此在催化材料、光致变色材料和气敏材料等领域具有广阔的应用前景.本......

　　氧化铟作为一种重要的半导体材料,表面性能优良,具有光学、敏感、催化和电化学性能等优点,在气敏传感器、光电器件等领域有较......

以FeSO4·7H2O和MgCl2·6H2O为材料,用新型化学共沉淀法制备了纳米尺寸的复合金属氧化物MgFe2O4粉体.将样品做成厚膜型气......

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采用化学共沉淀法和丝绸印刷法成功地制备了ZrO2掺杂的SnO2厚膜型气敏传感材料,研究了不同掺杂量,不同烧结温度的厚膜材料的电学性......

采用丝网印刷技术制备不同膜厚Sn02厚膜气敏试样,在不同温度下进行热处理后测定了试样的阻温曲线和对乙醇气体的灵敏度,结果表明制......