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单轴应变锗相关论文
单轴应变锗带隙特性和电子有效质量计算
应变工程在提升Gc器件性能方面起着重要作用,而能带结构是研究应变Gc电学、光学性质的理论基础.文中通过对角化一个包含自旋轨遒相......
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30k·p方法
单轴应变锗
能带结构
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30 k·p methoduniaxial strained Gcenergy band
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