单粒子辐照相关论文
对基于GaN的DC/DC变换器进行了总剂量、单粒子及耦合辐照效应研究，讨论了DC/DC变换器在特定负载及电压条件下，输出电压、输出电流、......
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（SOI-LIGBT）是单片智能功率芯片中的最核心元件,采用SOI衬底可以有效提升器件的抗空间辐照能力,受......
抗单粒子辐照指标是宇航电子元器件重要考核项目之一，本文结合中科院微电子所多年工程经验论述了宇航飞行器广泛使用的电子元器件的......
本文对国产抗辐照VDMOS锎源辐照试验结果和制作工艺进行了分析,深入研究了SEB和TID的机理,给出了大功率VDMOS抗单粒子辐照的加固方......
随着集成电路中High-k技术的发展，绝缘栅氧化层质量的好坏成为其关键所在。本文通过单粒子辐照和经时绝缘击穿(TDDB)的实验对深亚微......
针对空间应用的高速串行接口芯片易受单粒子辐照而出现误码的问题,提出了一种面向空间辐照环境的星载高速数字接口芯片设计方法。......
近年来,SOI(Silicon on Insulator)CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)技术由于其高速、低功耗等优点而得到广泛的应......
基于TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真软件,通过对带有不同宽度保护环的130nm体硅PMOS器件进行单粒子辐照仿真,研究了......
VDMOS是功率电子的重要基础,作为功率开关,VDMOS器件以其高耐压、低导通电阻等特性常用于功率集成电路和功率集成系统中。VDMOS器......
