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半导体超薄层生长技术相关论文
自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究
在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5 ML的InAs层.通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形......
期刊
INAS量子点
浸润层
时间分辨谱
半导体超薄层生长技术
砷化铟
InAs quantum dots
wetting layer
time-resolved
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