半导体断路开关相关论文
利用等离子体脱硫及其处理污水时,要满足窄脉宽与高电压为两个重要条件。据此,本课题设计了一台新型实用化ns级高压脉冲电源,该电......
该论文采用电流控制模式对半导体断路开关(简称SOS)p-p-n-n结构的物理过程进行了数值模拟研究.论文内容分为三部分:基本物理模型、......
主要介绍S 5N的结构及测试实验结果。S 5N型全固态重复频率脉冲发生器是目前国际上同类源中峰值功率和平均功率均为最大的一台。......
延迟击穿器件(DBD)是一种新型的半导体导通式开关,它具有重复工作频率高、体积小、重量轻、稳定性好等优点。利用此种开关对基于半......
提出了磁饱和直线变压器驱动源(LTD)泵浦半导体断路开关(SOS)产生高重复频率短脉冲的技术路线。利用LTD初次级线圈为单匝同轴结构......
依据高重频高压纳秒脉冲输出的要求,基于半导体断路开关(SOS)的工作特点,设计了高重频高压纳秒脉冲源脉冲发生器线路。分析发生器......
提出了一种新型的高压纳秒脉冲电源,该装置输出电压和频率可调,控制极为方便;输出波形稳定,谐波分量小;工作稳定,可靠性高。电源主......
半导体断路开关效应的发现促进了能连续重复频率运行的半导体断路开关和基于这种开关的高平均脉冲功率源的发展和应用,与其它应用......
半导体断路开关（SOS）效应的发现，促进了全固态脉冲功率源技术的发展和应用。采用一维流体模型，利用SOS数值模拟程序对SOS二极管P^＋-P-N-......
功率器件半导体断路开关具有高重复频率工作能力。采用高速绝缘栅双极晶体管组件作为初级充电回路的主开关，建立了一台工作频率为10......
为了研究掺杂结构为p^＋-p-n-n^＋的半导体断路开关的ns脉冲截断机理,根据流体力学方程和全电流方程推导出半导体断路开关内部载流子运......
提出了磁饱和直线变压器驱动源（LTD）泵浦半导体断路开关（SOS）产生高重复频率短脉冲的技术路线.利用LTD初次级线圈为单匝同轴结构和磁芯......
介绍了半导体断路开关(SOS)特性参数测试平台和测试方法,并对半导体断路开关的截断阻抗、截断时间、电压增益、输出脉冲半高宽以及......
主要介绍S-5N的结构及测试实验结果.S-5N型全固态重复频率脉冲发生器是目前国际上同类源中峰值功率和平均功率均为最大的一台.随负......
采用基于半导体断路开关的纳秒脉冲高压电源,在两个金属电极之间产生放电区间为1 600mm×100 mm×25 mm的常压辉光空气等......
利用基于SOS的固态脉冲功率源进行了Ka波段相对论返波管振荡器（RBWO）的实验研究。该固态脉冲功率源工作电压200-360 kV,工作电流约2.......
在维持电路参数同比变化和通过半导体断路开关（SOS）的电流密度不变的基础上,提出了一种SOS截断特性模拟的缩比模型,并可在Silvaco AT......
采用Silvaco TCAD软件,对P+-P-N-N+ SOS结构输出脉冲宽度的参数影响规律进行了一维数值模拟研究,包括N+区扩散深度、有效横截面积......
物理学家们利用流体力学方程和全电流方程来结论推导,其目的是他们为了研究以p＋-p-n-n＋为掺杂结构的一种半导体断路开关相关的脉冲截......
研制了基于SOS的胡杨200和胡杨700脉冲功率源.给出了胡杨200和胡杨700的电路原理、组成结构和实验波形.介绍了在SOS脉冲功率源上开......
为了研究半导体断路开关(SOS)的截断过程及其在脉冲功率系统中的工作特性,建立了半导体断路开关的电流控制模型,对p+-p-n-n+掺杂结......
半导体断路开关的输出电压中的预脉冲现象,严重影响了整个系统的输出脉冲前沿陡度和重复频率。针对半导体断路开关在反向截断过程......
利用电力电子技术与脉冲功率技术设计了一台纳秒级高压脉冲电源。电源低压部分采用电力电子技术中的BUCK电路与串联谐振电路，高压部......
研制了基于SOS的胡杨200和胡杨700脉冲功率源。给出了胡杨200和胡杨700的电路原理、组成结构和实验波形。介绍了在SOS脉冲功率源上......
