刻蚀阻挡层相关论文
本文主要研究NMOSFET的性能提高,以SiGe作为纳米nMOS的源,能够有效降低器件的源漏电阻Rsd,进而提升器件性能.本文设计了以SiGe作为......
为实现氧化物TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,IGZOTFT)特性的最优化,采用I-V数据和SEM(Scanning Electron M......
为优化金属氧化物薄膜晶体管(IGZO-TFT)的特性,采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层,制备出具有刻蚀阻挡层(Etch stop la......