低温晶化相关论文
通过向合成ZSM-5分子筛的初始凝胶中加入Fenton试剂作为羟基自由基(·OH)引发剂,在90℃下合成了系列不同晶化时间的超细纳米ZSM-5......
以SiCl-H为气源,用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜.用Raman散射光谱测试样品的纵向结构特性,发现随着薄膜纵向深度的增加,薄膜中硅晶......
由Ⅳ族元素Ge、Sn组成的GeSn合金材料近年来受到了广泛关注,理论研究表明,当Sn组分高于6.3%时,GeSn合金可以转变为直接带隙材料,而......
本文采用直流磁控溅射在(100)硅衬底上沉积了单层锗薄膜,分别用拉曼光谱和X射线衍射研究了薄膜的结晶性,通过对结晶性的研究发现,......
在半导体材料领域，锗(Ge)薄膜的低温生长引起了人们的广泛关注，主要是因为它们在大面积微电子、光电子和红外器件中的实际应用以及所......
本文首先对多晶硅薄膜的制备方法、应用前景进行了综述，同时对金属诱导非晶态硅晶化制备多晶硅的研究现状以及诱导机理与应用等进行......
Zr-Ni体系是重要的二元非晶基础体系,且Zr、Ni组元与氢(及其同位素)之间具有特殊的亲合作用,相关非晶显示出优良的储氢和氢输运特......
介绍了一种非晶硅 (a- Si)薄膜低温晶化的新工艺 :金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。研究了各种 a- Si/金属双层膜退火后的晶化情况。......
多晶硅薄膜材料已广泛应用干太阳能电池和集成电路制造等领域。本文综述了金属诱导非晶硅薄膜进行低温晶化的研兜，讨论了金属诱导法......
多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中有着重要位置.为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示......
多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中起着重要的作用。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显......
为实现多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器的实用化与产业化，低温（<600℃）、快速制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文中将微波加......
采用PECVD法在镀铝的玻璃衬底上生长非晶硅薄膜，然后样品在氮气气氛下温度为500℃的条件下退火，成功地将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜......
介绍了一种非晶硅（ａ－Ｓｉ）薄膜低温晶化的新工艺；金属诱导非晶硅薄膜低温晶化．研究了各种ａ－Ｓｉ／金属双层膜退火后的晶化情况。利用Ｘ射线衍射分析了结......
介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺--金属诱导非晶硅薄膜低温晶化.在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜,而后于氮气保护中退火,实现了......
采用变温晶化方法,通过改变低温段晶化温度,水热合成B-ZSM-5沸石.以B-ZSM-5沸石为母体,经脱硼处理后,与TiCl4进行气固相取代反应制......
采用真空热蒸发与PECVD方法,在特殊设计的"单反应室双沉积法"薄膜沉积设备中沉积a-Si:H/Al/ a-Si:H三层复合薄膜,并利用XRD,XPS及S......
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二氧化钛（TiO2）由于环境友好,耐酸耐碱,无毒无害,生物相容性好且成本较低等优点,在光催化环境治理等诸多领域得到广泛应用。水热、溶......
本文采用直流磁控溅射在（100）硅衬底上沉积了单层锗薄膜，分别用拉曼光谱和X射线衍射研究了薄膜的结晶性，通过对结晶性的研究发现，在衬底......
本文以适应工业化生产为前提,以提高膜性能为目的,进行了对制备Silicalite-1分子筛膜过程中涂晶方法与晶化工艺的改进研究,以提高S......
纯钛及其合金由于相对低的密度、高的耐磨性和抗腐蚀性、卓越的生物相容性及疲劳性能,在外科手术及牙科应用上受到极大关注。为了......
（1-x）BaZr0.2Ti0.8O3-xBa0.7Ca0.3TiO3(BZT-xBCT)无铅压电陶瓷材料在近几年来已经引起了广大学者的极大的关注，2009年报道了在其准同......
摘要:二氧化钛由于具有高活性、安全无毒、化学性质稳定及成本低等优点,被广泛应用于环境保护、太阳能转化、化妆品、纺织、涂料、......
<正> 低温晶化硅薄膜材料及非晶硅/低温晶化硅叠层电池的研究是南开大学光电子所承担的国家重点基础研究发展规划项目。该项目进行......
