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240nm Si0.8Ge0.2虚衬底的应变Si沟道PMOSFET
针对应变SiPMOSFET的弛豫SiGe虚拟衬底厚度大的问题(>1μm),采用了低温Si技术试制出240nm厚虚衬底的应变Si沟道PMOSFET。器件显示......
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