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高灵敏度InAs/AlSb量子阱的霍尔器件
用分子束外延在Ga As(001)衬底上生长了两个量子阱结构的霍尔器件,一个是没有掺杂的量子阱结构,一个是Si-δ掺杂的量子阱结构。研究......
期刊
霍尔器件
量子阱
Δ掺杂
分子束外延
Hall device
quantum well
δ-doping
molecular beam epitaxy
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