在本研究工作中，用热丝化学气相沉积（HFCVD 或 Cat-CVD）方法，在温度为 300oC-500oC 的单晶 Si(100)衬底上，以 CH4、SiH4和 H2为反应气体......

随着人工智能、5G概念的产生,芯片、半导体元器件的研发工作越发重要。SiC是第三批次兴起的半导体材料,在工作电压、承载电流、工......