photoluminescence.相关论文
Titanic acid nanotubes (H2Ti2O4(OH)2) were surface-modified with cetyl alcohol through dehydration reaction because of e......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
将功率为75W、波长为1 064nm的YAG激光的散焦束斑辐照在SiGe合金表面上能够形成多孔硅锗结构,其硅纳晶和锗纳晶的尺寸和形貌有自身......
用溶胶-凝胶旋涂的方法在Si（100）衬底上成功制备了MgxZn1-xO薄膜。通过对样品的X射线衍射花样进行分析,发现制得的样品都有明显的C轴......
在ＨＦ－ＨＮＯ３水溶液中化学浸蚀单晶硅，得到了具有可见光致发光的多孔硅层（ＰＳＬ）。金相显微镜和扫描电镜（ＳＥＭ）观察表明，化学浸蚀后的表面呈绒面状，说明浸蚀具......
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本文提出了采用光泵浦法评价掩埋异质结构(BH)激光器的一次外延片质量的技术。该评价技术简便易行,对样片无破坏性,且可由其测量结......
测量了一系列不同隔离层（ｓｐａｃｅｒ）厚度、阱宽和硅δ掺杂浓度的单边掺杂的赝形高电子迁移率晶体管（ｐＨＥＭＴｓ）量子阱的变温和变激发功率光致发光谱，详细研......
在利用MOCVD方法制备的调制掺杂GaAs/AlGaAs多量子阱超晶格材料中,由于深能级杂质形成的非辐射复合中心的存在,使样品具有较大的暗......
本文给出了ＩｎＰ材料（１００）和（１１１）晶面的质谱分析结果，并对（１００）晶面做了光荧光分析．研究表明沾污主要来自硅......
对Ｔｅ掺杂ｎ型ＧａＡｓ材料在３００～６０Ｋ之间的辐射复合进行光致发光（ＰＬ）的研究，用发射波长为５１０．６ｍ和５７８．２ｎｍ的溴化亚铜激光器为激发光器，在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率约......
报道了Ｃ６０掺杂气凝胶的奇异光致发光现象，利用两种掺杂方法制备了Ｃ６０掺杂ＳｉＯ２气凝胶样品，红外吸收光谱及飞行时间质谱测试表明Ｃ６０分子被成功地掺入......
在１０Ｋ低温下对分子束外延（ＭＢＥ）生长的ＣｄＴｅ（１１１）Ｂ／ＧａＡｓ（１００）／ＣｄＴｅ（２１１）Ｂ／ＧａＡｓ（２１１）Ｂ外延膜进行了光致发光（ＰＬ）测量，得到了ＰＬ谱和带边激子辐射的精细结构．计算得到束缚激子的半峰宽（ＦＷＨＭ）分别为０．２～０．ｓｍｅＶ和１～２ｍｅＶ．实验结......
