报道了利用低压金属有机汽相外延(LP-MOCVD)工艺首先在硅(n-Si衬底上生长硫化锌(ZnS)薄膜,然后将 硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下......

在室温下,采用射频磁控溅射法在p-Si(100)衬底上制备了铝酸镧(LaAlO3)薄膜,分别在800 ℃,900 ℃和950 ℃下进行退火处理。利用X射......

采用射频磁控溅射法在n型单晶Si(100)衬底上制备Au/Si/Au多层薄膜,并在300 ℃真空原位退火30 min。扫描电子显微镜(SEM)及透射电子......

In this work, results on the study of the structure and photoluminescence (PL) properties of SiOxNy thin films are pres......

采用双离子束共溅射方法制备了SiOX薄膜,XRD和TEM的分析表明SiOX薄膜为非晶结构,XPS分析表明样品主要是以SiO190的形式存在于薄膜......