一、引言 目前在半导体激光器的研制中,p型材料的欧姆接触系统,对GaAs多采用Cr/Au、Zn/Au,对InP多采用Au/Zn。它们有一个共同点,......

研究了电子束蒸发淀积的非合金膜系Au/Pt/Ti/p-InP(2×1018cm-3)接触的物理特性,通过450℃、4 min的快速退火,获得了欧姆接触,其比......

为了研究异质结InP/InGaAs探测器帽层的欧姆接触特性,采用Au/p-InP传输线模型（TLM）,对比不同退火温度下的接触特性,在480℃、30 s的......